精確掌握CMP關鍵材料與晶圓接觸界面特性
精確掌握CMP關鍵材料與晶圓接觸界面特性
加速新材料研發與提升製程穩定性
CMP製程在半導體產業中要求精確的顆粒互動和表面特性分析，以確保晶圓表面的最佳處理。Anton Paar的產品系列 ，包含SurPASS3 固體界達電位分析儀 / Litesizer 奈米粒徑及界達電位分析儀 / SAXSpoint 5.0 / MCR 702e 流變儀 / 動態機械特性分析儀/ L-Dens 線上密度計 / DMA 系列密度計 / Lovis 微量黏度計等，提供了先進的分析解決方案，能有效提升CMP製程的效率，幫助控制顆粒大小、表面電荷及奈米結構，減少缺陷並提高良率。
SurPass 3固體界達電位分析儀
SurPASS 3專為分析CMP過程中晶圓表面的Zeta電位而設計。透過測量表面電荷，能評估清洗效率並優化表面化學性質，以防止顆粒附著，最終達成更佳的表面處理效果。
Litesizer DLS
具備多角度與偏振濾光片（含水平/垂直模式），能有效排除螢光干擾並解析非球形粒子的散射特性。透過MAPS技術不僅可精準測量粒徑與zeta電位，更可進一步推估研磨液中奈米顆粒的形狀與聚集態，為CMP漿料穩定性與研磨效率提供關鍵分析依據。
SAXSpoint 700
適用於觀察CMP漿料或拋光墊中奈米級結構的變化，並能在高靈敏的q值範圍內分析顆粒形貌、聚集態與孔隙結構。亦可進行RheoSAXS實驗，同步探討研磨流體在剪切下的結構演化，對於機制研究與研磨液開發極具價值。
MCR 702e流變儀 /動態機械分析儀
MCR 702e具備雙驅動單元，藉由更換不同的驅動單元，可用來研究CMP製程中從漿料到研磨墊的所有量測。從漿料的基本流動特性到研磨墊的動態機械特性皆可量測。此外，藉由搭載豐富的環境控制套件(如磨耗套件及磁性套件)，MCR流變儀亦可為模擬CMP製程的一工具。MCR 702e可為滿足CMP製程研發各項需求的重要工具。
L-Dens 線上密度計
L-Dens 線上密度計可利用U型震盪管原理，24小時全天候監控CMP的液體密度，確保CMP液體內的固含量及各種材料比例是否正確、有無任何異常發生。且無須取樣，能將數據傳至控制室，持續監控得到real-time的密度數據。利用即時情況的密度數據，即時變更製程參數，避免傳統取樣造成的時間差。
DMA 系列密度計
桌上型的密度計系列，對樣品控溫至0.01°C，可測量比線上密度計更多位數的密度結果。可測量密度至小數點第五位；準確性高達1×10-5 ~ 5×10-5 g/cm3，亦可搭配多種自動進樣器，適合每天用來確認成品規格、出貨檢驗及出貨報告。也適合於進貨檢驗，確認原物料及CMP漿料的規格及固含量
Lovis 微量黏度計
Lovis為毛細管落球原理的黏度計，對CMP的低黏度slurry樣品有絕佳的準確性與再現性。準確性及再現性分別高達0.5%及0.1%。比一般旋轉黏度計更能確保並量測到任何漿料黏度的品質及變異，進而避免CMP研磨上出現異常，防止晶圓出現刮痕或是無法研磨至平滑、除去摩擦係數異常及潤滑劣化。亦可搭配自動進樣器增加自動進樣量測功能。
XRDynamic 500
是一台多功能XRD系統，適用於CMP後晶圓表面殘留物分析、拋光後的應力變化檢測，以及研磨後晶體結構的品質評估。其高速、自動化特性與高解析度設計，使其成為材料結晶性、相變與殘留應力的關鍵分析儀器。
Ultrapyc 5000
為高精度氣體比重瓶，能快速量測拋光墊、研磨液沉渣或研磨粉末的實際密度。對於CMP材料的比表面、孔隙率與致密度評估，具有重要意義。搭配 PowderProtect 模式可避免樣品污染設備，是CMP材料研發與QC的理想工具。
Multiwave 7101/7301/7501 系列
提供高壓密閉式微波消化系統，可精確分解CMP漿料、墊材與污染物樣品，搭配ICP-MS/OES 分析元素殘留（如Ce、Si、Fe等）。適用於前段製程中潔淨度的監控與失效分析，是CMP材料潔淨度驗證的核心設備。
