精確掌握CMP關鍵材料與晶圓接觸界面特性
精確掌握CMP關鍵材料與晶圓接觸界面特性
加速新材料研發與提升製程穩定性
CMP製程在半導體產業中要求精確的顆粒互動和表面特性分析，以確保晶圓表面的最佳處理。Anton Paar的產品系列 ，包含SurPASS3 固體界達電位分析儀 / Litesizer 奈米粒徑及界達電位分析儀 / SAXSpoint 5.0 / MCR 702e 流變儀 / 動態機械特性分析儀/ L-Dens 線上密度計 / DMA 系列密度計 / Lovis 微量黏度計等，提供了先進的分析解決方案，能有效提升CMP製程的效率，幫助控制顆粒大小、表面電荷及奈米結構，減少缺陷並提高良率。
SurPass 3固體界達電位分析儀
SurPASS 3專為分析CMP過程中晶圓表面的Zeta電位而設計。透過測量表面電荷，能評估清洗效率並優化表面化學性質，以防止顆粒附著，最終達成更佳的表面處理效果。
Litesizer DLS奈米粒徑及界達電位分析儀
Litesizer DLS系列可測量CMP漿料中的顆粒大小及Zeta電位，提供顆粒尺寸和表面電荷對CMP過程影響的準確洞察，幫助優化漿料配方，減少顆粒附著所引發的缺陷。
SAXSpoint 5.0
SAXSpoint 5.0提供CMP相關材料（如漿料中的研磨顆粒）的先進奈米結構分析，特別是分析顆粒大小、形狀及其分佈，這對於了解CMP漿料中的研磨顆粒在拋光過程中的行為可能有潛在幫助。SAXSpoint 5.0可以提供關於顆粒表面特性和互動行為的數據，這有助於優化拋光效率並減少晶圓表面的微缺陷。
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MCR 702e流變儀 /動態機械分析儀
MCR 702e具備雙驅動單元，藉由更換不同的驅動單元，可用來研究CMP製程中從漿料到研磨墊的所有量測。從漿料的基本流動特性到研磨墊的動態機械特性皆可量測。此外，藉由搭載豐富的環境控制套件(如磨耗套件及磁性套件)，MCR流變儀亦可為模擬CMP製程的一工具。MCR 702e可為滿足CMP製程研發各項需求的重要工具。
L-Dens 線上密度計
L-Dens 線上密度計可利用U型震盪管原理，24小時全天候監控CMP的液體密度，確保CMP液體內的固含量及各種材料比例是否正確、有無任何異常發生。且無須取樣，能將數據傳至控制室，持續監控得到real-time的密度數據。利用即時情況的密度數據，即時變更製程參數，避免傳統取樣造成的時間差。
DMA 系列密度計
桌上型的密度計系列，對樣品控溫至0.01°C，可測量比線上密度計更多位數的密度結果。可測量密度至小數點第五位；準確性高達1×10-5 ~ 5×10-5 g/cm3，亦可搭配多種自動進樣器，適合每天用來確認成品規格、出貨檢驗及出貨報告。也適合於進貨檢驗，確認原物料及CMP漿料的規格及固含量
Lovis 微量黏度計
Lovis為毛細管落球原理的黏度計，對CMP的低黏度slurry樣品有絕佳的準確性與再現性。準確性及再現性分別高達0.5%及0.1%。比一般旋轉黏度計更能確保並量測到任何漿料黏度的品質及變異，進而避免CMP研磨上出現異常，防止晶圓出現刮痕或是無法研磨至平滑、除去摩擦係數異常及潤滑劣化。亦可搭配自動進樣器增加自動進樣量測功能。
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