超奈米壓痕測試儀:UNHT³

超高解析、高穩定奈米壓痕測試儀

配備真實力與位移感測器的 UNHT³ 超高解析度奈米壓痕儀用於檢測奈米級材料的機械性質。UNHT³ 採用獨特且獲得專利的主動式表面參考系統,幾乎消除熱漂移與順適性的影響。因此,非常適用於從原子到奈米尺寸所有類型材料 (包括聚合物、極薄塗層及軟組織) 的長時間測量。

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主要功能

最準確的奈米壓痕測試儀

最準確的奈米壓痕測試儀

UNHT³ 測量其他人估計的值:兩個獨立的深度與負載感測器,提供對作用力與壓痕深度的真實控制。此外,UNHT³ 還提供獨特的主動式頂部參考專利設計:當測量壓痕儀執行測量時,另一參考壓頭會監測樣本的表面位置,以消除熱漂移與順適性問題。這種獨特的設計允許廣範圍的壓痕深度 (從幾 nm 到 100  μm) 和壓痕負載 (從幾 μN 到 100 mN)。

市場上最高穩定性的奈米壓痕測試儀

市場上最高穩定性的奈米壓痕測試儀

採用獨特且獲得專利的主動式頂部表面參考和 Zerodur (一種不會熱膨脹的材料),這表示 UNHT³ 是唯一一款在沒有任何深度修正的情況下,可忽略熱漂移 (低至 10 fm/sec) 的奈米壓痕測試儀。UNHT³ 是唯一可藉由此獨特穩定性,用於長時間測量的奈米壓痕測試儀,例如潛變測試。

高容量和測量速度 (每小時超過 600 次測量)

高容量和測量速度 (每小時超過 600 次測量)

儀器具備獨特熱穩定性,可在安裝後立即測量樣本,無需等待熱穩定時間。因此,可以全天分別測量許多樣本。Quick Matrix 模式每小時能執行超過 600 次實際壓痕曲線測量。使用者設定、測量協定、多樣本測量和客製化報告功能,實現市面上最高的處理量。

具有「正弦模式」的附加動態力學分析 (DMA)

具有「正弦模式」的附加動態力學分析 (DMA)

整合的「正弦模式」能夠執行 DMA 分析,以研究力學性質隨深度的變化 (HIT、EIT vs. 深度) 和黏彈性質測量 (E’、E'':儲能與損耗模數,tan δ),樣本範涵蓋薄膜到塊狀材料。正弦模式還提供其他功能,例如快速壓頭校準和應力 - 應變分析。

技術規格

最大負載 [mN] 50 / 100(1)
負載解析度 [nN] 3
負載雜訊背景 [rms] [μN] ≤0.05
加載速率 [mN/min] 最高 1000
深度範圍 [μm] 50 / 100(1)
深度解析度 [nm] 0.003
深度雜訊背景 [rms] [nm] ≤0.03
資料獲取率 [kHz] 192
選配
加熱樣本台至 200 °C
冷卻至 -120 °C (2)
液體測試

(1) 選配

(2) 搭配環境室

專利

UNHT³ 的主動式頂部表面參考:US 7,685,868 B2

標準

A

ASTM E2546

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深入瞭解

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