MCR 的配件：
Rheo-SANS/SAXS

「結構分析與流變光學」的配件
用於奈米結構分析：小角度散射
溫度範圍從 -50 °C 至 300 °C

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近年來，對奈米技術的日益關注導致同步加速器束線的使用增加。除了靜態奈米結構分析之外，材料研究的一個較深入的關注領域是剪切對材料結構的影響。為了支持這一研究領域，安東帕開發了一種專門的測量設置，使您可以將著名的 MCR 流變儀技術與小角度X-Ray散射 (SAXS) 和小角度中子散射 (SANS) 的儀器結合使用，進而實現在受控剪切條件下的詳細結構分析。隨著 Rheo-SANS/SAXS 安東帕的配件，所有流變測試類型都可以同時進行實時小角度散射。它由不透射線的對流溫度裝置和專用的測量系統組成，可測量從液體到粉末甚至薄膜的各種樣品。

主要功能

在 -50 °C 至 300 °C 的溫度範圍內，將 SAXS 和 SANS 測量與所有流變測試類型結合使用

Rheo SANS/SAXS 配件將功能齊全的 MCR 流變儀與 SAXS 和 SANS 結合使用，可在 -50 °C 至 300 °C 的溫度範圍內進行測量。您可以同時進行實時小角度散射並執行所有流變測試類型。相對於剪切流的各種光束位置提供在不同平面上的散射資訊。可用的測量幾何形狀是由不同材料製成的同心圓柱體（最大的杯直徑為 50 mm）和平行板（直徑最大為 50 mm）系統以及 DMA 和擴展夾具 (SRF、SCF、UXF、SER)。對於特殊的安裝條件，如光束線中的空間有限，可以使用特殊的流變儀類型。此外，我們格拉茨（奧地利）的專家可根據要求實施設計並適應您特定需求的單獨測量設置。

SAXS 符合流變學原理，可進行剪切誘導的奈米結構分析

小角度 X-Ray 散射 (SAXS) 和廣角 X-Ray 散射 (WAXS) 是對各種材料（例如：固體、液體、塑膠、高分子…）的密度差異進行奈米級特性分析的有效方法。獲得有關大分子的形狀和大小、部分有序材料的特徵距離、孔徑和其他資料的資訊。流變學結合 SAXS 技術可以研究複雜樣品中剪切誘導的奈米結構的變化 - 從流動和溫度誘導的結晶到剪切帶等。所有輻照部件均以聚碳酸酯為標準材料；其他材料可根據要求提供（如聚酰亞胺）。輻照的零件可以在不到一分鐘的時間內更換。

SANS 和 GISANS –奈米級特性分析

小角度中子散射 (SANS) 是一種強大的方法，可以對各種材料進行奈米級特性分析。中子通過原子核或未配對電子旋轉的磁矩在磁性樣品中散射。與具有類似波長並與電子雲相互作用的 X-Ray 光子不同，中子與原子核自身相互作用。由於中子是電中性粒子，因此它會深深滲透並探測散裝材料。還可以整合用於掠入射小角度中子散射 (GISANS) 或薄膜表徵的中子反射計的特殊測量裝置。

所有輻照部件均以聚碳酸酯為標準材料；其他材料可根據要求提供（如聚酰亞胺）。輻照的零件可以在不到一分鐘的時間內更換。