配備真實力與位移感測器的 UNHT³ 超高解析度奈米壓痕儀用於檢測奈米級材料的機械性質。UNHT³ 採用獨特且獲得專利的主動式表面參考系統，幾乎消除熱漂移與順適性的影響。因此，非常適用於從原子到奈米尺寸所有類型材料（包括聚合物、極薄塗層及軟組織）的長時間測量。對於在非常低或非常高的溫度下的測量，可以使用真空室版本 (UNHT³HTV)，適用於 -150°C 至 800°C 的溫度以及低至10-7 mbar的真空度。
在獨特的 Step 表面測試平台 上將儀器壓痕測試頭與刮痕測試頭、奈米摩擦計，甚至原子力顯微鏡相結合。
主要功能
最準確的奈米壓痕測試儀
UNHT³ 測量其他人估計的值：兩個獨立的深度與負載感測器，提供對作用力與壓痕深度的真實控制。此外，UNHT³ 還提供獨特的主動式頂部參考專利設計：當測量壓痕儀執行測量時，另一參考壓頭會監測樣本的表面位置，以消除熱漂移與順適性問題。這種獨特的設計允許廣範圍的壓痕深度（從幾 nm 到 100 μm）和壓痕負載（從幾 μN 到 100 mN）。
市場上最高穩定性的奈米壓痕測試儀
採用獨特且獲得專利的主動式頂部表面參考和 Zerodur （一種不會熱膨脹的材料），這表示 UNHT³ 是唯一一款在沒有任何深度修正的情況下，可忽略熱漂移 （低至 10 fm/sec）的奈米壓痕測試儀。UNHT³ 是唯一可藉由此獨特穩定性，用於長時間測量的奈米壓痕測試儀，例如潛變測試。
高容量和測量速度（每小時超過 600 次測量）
儀器具備獨特熱穩定性，可在安裝後立即測量樣本，無需等待熱穩定時間。因此，可以全天分別測量許多樣本。Quick Matrix 模式每小時能執行超過 600 次實際壓痕曲線測量。使用者設定、測量協定、多樣本測量和客製化報告功能，實現市面上最高的處理量。
具有「正弦模式」的附加動態力學分析 (DMA)
整合的「正弦模式」能夠執行 DMA 分析，以研究力學性質隨深度的變化（HIT、EIT vs. 深度）和黏彈性質測量 (E’、E’’)：儲能與損耗模數，tan δ，樣本範涵蓋薄膜到塊狀材料。正弦模式還提供其他功能，例如快速壓頭校準和應力 - 應變分析。
在高真空和高達 800°C 的高溫下進行測量
HHT 版本的 UNHT³ 是唯一具有全自動程序的超納米壓痕儀，可將熱漂移降至最低，從而能夠在整個溫度範圍內實現 <3 nm/min 的測量條件。這是透過獨特的專利加熱管理完成的，該加熱管理以 0.1°C 的精度同時控製樣本和壓頭溫度。壓痕軟體控制與系統實時交互作用的加熱和環境條件，以最大程度地減少熱漂移並啟動所有所需的測量。您可以計畫一組具有不同溫度階段之任何類型的壓痕（標準 UNHT³ 也可以），儀器會根據預設矩陣自動進行測量。
技術規格
| 最大負載 [mN] | 50 / 100(1) |
| 負載解析度 [nN] | 3 |
| 負載雜訊背景 [rms] [μN] | ≤0.05 |
| 加載速率 [mN/min] | 最高 1000 |
| 深度範圍 [μm] | 50 / 100(1) |
| 深度分辨率 [nm] | 0.003 |
| 深度雜訊背景 [rms] [nm] | ≤0.03 |
| 資料獲取率 [kHz] | 192 |
| 選配 | |
| 加熱樣本台至 200 °C | ✔ |
| 冷卻至 -120 °C (2) | ✔ |
| 液體測試 | ✔ |
(1) 選配
(2) 搭配環境室
專利
UNHT³ 的主動式頂部表面參考：US 7,685,868 B2
標準
ASTM
文件
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超奈米壓痕測試儀：UNHT³ 標準 | HTV
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