配備真實力與位移感測器的 UNHT³ 超高解析度奈米壓痕儀用於檢測奈米級材料的機械性質。UNHT³ 採用獨特且獲得專利的主動式表面參考系統,幾乎消除熱漂移與順適性的影響。因此,非常適用於從原子到奈米尺寸所有類型材料(包括聚合物、極薄塗層及軟組織)的長時間測量。對於在非常低或非常高的溫度下的測量,可以使用真空室版本 (UNHT³HTV),適用於 -150°C 至 800°C 的溫度以及低至10-7 mbar的真空度。
在獨特的 Step 表面測試平台 上將儀器壓痕測試頭與刮痕測試頭、奈米摩擦計,甚至原子力顯微鏡相結合。
主要功能

最準確的奈米壓痕測試儀
UNHT³ 測量其他人估計的值:兩個獨立的深度與負載感測器,提供對作用力與壓痕深度的真實控制。此外,UNHT³ 還提供獨特的主動式頂部參考專利設計:當測量壓痕儀執行測量時,另一參考壓頭會監測樣本的表面位置,以消除熱漂移與順適性問題。這種獨特的設計允許廣範圍的壓痕深度(從幾 nm 到 100 μm)和壓痕負載(從幾 μN 到 100 mN)。

市場上最高穩定性的奈米壓痕測試儀
採用獨特且獲得專利的主動式頂部表面參考和 Zerodur (一種不會熱膨脹的材料),這表示 UNHT³ 是唯一一款在沒有任何深度修正的情況下,可忽略熱漂移 (低至 10 fm/sec)的奈米壓痕測試儀。UNHT³ 是唯一可藉由此獨特穩定性,用於長時間測量的奈米壓痕測試儀,例如潛變測試。

高容量和測量速度(每小時超過 600 次測量)
儀器具備獨特熱穩定性,可在安裝後立即測量樣本,無需等待熱穩定時間。因此,可以全天分別測量許多樣本。Quick Matrix 模式每小時能執行超過 600 次實際壓痕曲線測量。使用者設定、測量協定、多樣本測量和客製化報告功能,實現市面上最高的處理量。

具有「正弦模式」的附加動態力學分析 (DMA)
整合的「正弦模式」能夠執行 DMA 分析,以研究力學性質隨深度的變化(HIT、EIT vs. 深度)和黏彈性質測量 (E’、E’’):儲能與損耗模數,tan δ,樣本範涵蓋薄膜到塊狀材料。正弦模式還提供其他功能,例如快速壓頭校準和應力 - 應變分析。

在高真空和高達 800°C 的高溫下進行測量
HHT 版本的 UNHT³ 是唯一具有全自動程序的超納米壓痕儀,可將熱漂移降至最低,從而能夠在整個溫度範圍內實現 <3 nm/min 的測量條件。這是透過獨特的專利加熱管理完成的,該加熱管理以 0.1°C 的精度同時控製樣本和壓頭溫度。壓痕軟體控制與系統實時交互作用的加熱和環境條件,以最大程度地減少熱漂移並啟動所有所需的測量。您可以計畫一組具有不同溫度階段之任何類型的壓痕(標準 UNHT³ 也可以),儀器會根據預設矩陣自動進行測量。
技術規格
最大負載 [mN] | 50 / 100(1) |
負載解析度 [nN] | 3 |
負載雜訊背景 [rms] [μN] | ≤0.05 |
加載速率 [mN/min] | 最高 1000 |
深度範圍 [μm] | 50 / 100(1) |
深度分辨率 [nm] | 0.003 |
深度雜訊背景 [rms] [nm] | ≤0.03 |
資料獲取率 [kHz] | 192 |
選配 | |
加熱樣本台至 200 °C | ✔ |
冷卻至 -120 °C (2) | ✔ |
液體測試 | ✔ |
(1) 選配
(2) 搭配環境室
專利
UNHT³ 的主動式頂部表面參考:US 7,685,868 B2
標準
ASTM
文件
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超奈米壓痕測試儀:UNHT³ 標準 | HTV