化学机械抛光/平面化（CMP）： 浆料测量

引言

化学机械平面化（CMP）是微电路制造过程中的关键 生产步骤。电子组件越小，CMP 工艺越复杂。

客户的 目标是拥有平坦，光滑，抛光的晶圆。 抛光过程在洁净室中进行，该洁净室中的空气每立方米 包含少于一个灰尘颗粒。在抛光垫和晶片之间使用主要 包含纯水，化学试剂和不同抛光颗粒的浆料。浆料的 “合格”取决于其稳定性和污染等级。异物颗粒，溶解 的二氧化碳和离子污染会干扰抛光工艺以及浆料颗粒的 聚集体和附聚物。浆料特性的动态测量与定义的控制极 限可用于确定浆料的合格状况。

尤其是半导体行业中使用的多部分浆料会导致快速分离。 即使浆料颗粒很小，由于较高的密度，这些颗粒也会向 下移动。准均质浆料通常以浓缩液形式输送，并在现场 用水稀释。

如果在混合浆料后立即安装了密度传感器，可以立即看 到泥浆已准备好使用。传感器将每秒发送一次测量读数， 因此可以进行快速质量控制。

使用后，将浆液收集在废物箱中。晶片抛光只能使用新 鲜且混合均匀的浆料。