• Halbleitermetrologie

    So können Sie den Wafer-Produktionsprozess verbessern und qualitativ hochwertige Wafer gewährleisten

  • Um Sie bei der Herstellung von Wafern von höchster Qualität zu unterstützen, bietet Anton Paar Wafer-Metrologietools zur Überwachung der Qualität Ihrer Dünnfilme, zur Bewertung der Oberflächenrauheit während der Metallisierung, zum Verständnis der Oberflächenchemie der äußeren Schichten sowie zur Charakterisierung von Wafer-Defekten. Unsere Geräte helfen Ihnen, viele verschiedene Parameter während des gesamten Wafer-Herstellungsprozesses zu bestimmen und anzupassen, um ein besseres Endprodukt zu erzeugen.

    Wafer-Metrologie im Produktionsprozess

    Von Dünnfilmen bis hin zu Tests, Montage und Verpackung – unsere Messlösungen unterstützen Sie bei jedem Fertigungsschritt.


    Dünnfilme

    Es ist wichtig, die volle Kontrolle über die Parameter zu haben, die den Prozess der Dünnfilmabscheidung beeinflussen. Messgeräte, die diese Parameter überwachen, können Sie dabei unterstützen. Da Dünnfilme in der Regel eine Dicke zwischen wenigen Nanometern und etwa 100 Mikrometern, mitunter sogar nur einigen Atomen aufweisen, erfordert dies Wafer-Messgeräte, die im Nano- und Sub-Nanometerbereich arbeiten. Die Oberflächenqualität solch dünner Schichten lässt sich am besten durch die Untersuchung der Rauheit mit einem Rasterkraftmikroskop (AFM) bestimmen. Um die richtige Adhäsion, Kratzfestigkeit und Härte der Schichten zu analysieren und damit die Qualität des Endprodukts und der weiteren Produktionsschritte sicherzustellen, müssen Sie Ritzprüfungen sowie instrumentierte Härtemessungendurchführen. Diese Methoden geben Aufschluss über die mechanischen Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten.

    Die Bestimmung des Zetapotenzials der äußeren Schicht mit dem Zetapotenzial-Messgerät von Anton Paar liefert Ihnen Informationen über die Oberflächenchemie und damit über die Zusammensetzung der Schicht.

    Die strukturellen Merkmale von Dünnfilmen können auch durch GISAXS (Kleinwinkel-Röntgenstreuung mit streifendem Einfall) unter Verwendung des SAXSpoint 5.0-Systems von Anton Paar untersucht werden. Aufgrund der Art der Röntgenstrahlen werden bei diesem Verfahren nicht nur Strukturen auf der Oberfläche untersucht, sondern auch Informationen zu Merkmalen geliefert, die unter der Oberfläche „verborgen“ sind.

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    Fotolithografie

    Um eine Verunreinigung der Fotomasken nach dem Reinigungsprozess zu vermeiden, können Sie eine Zetapotenzial-Analyse durchführen und die Ergebnisse zur Optimierung des Reinigungsprozesses nutzen. Bei der Defektanalyse an der Fotomaske ist ein AFM empfindlich genug, um kleinste Unvollkommenheiten aufzudecken und bei der Kontrolle des Reparaturprozesses zu helfen.

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    Ätzen

    Um reproduzierbare Ätzergebnisse zu erzielen, müssen Sie die Konzentration der verwendeten Flusssäure vollständig unter Kontrolle haben. Das Dichtemessgerät von Anton Paar mit einer chemisch resistenten Messzelle liefert Konzentrationswerte in Minutenschnelle, sodass Sie eine konsistente Ätzung erzielen können.

    Unterschiede in der Ätzstrategie wirken sich auch auf die Oberflächenchemie des Wafers aus. Nutzen Sie die Zetapotenzial-Analyse mit dem Zetapotenzial-Messgerät von Anton Paar, um den Effekt des Ätzens an der äußersten Wafer-Oberfläche zu verfolgen.

    Verwenden Sie das Rasterkraftmikroskop von Anton Paar zur Überprüfung und Qualitätskontrolle bestimmter Teile eines Wafers nach dem Ätzen. AFMs liefern schnelle Ergebnisse und können die gleiche Stelle immer wieder leicht finden und testen und dabei auch vordefinierte Muster automatisch messen. Dies macht sie zum perfekten Werkzeug zur Charakterisierung von Defekten, zur Bestimmung der Abstandhaltermaße und zur Analyse der kritischen Dimension (CD) sowie der Linienbreiten- und Linienkantenrauheit.

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    Reinigung

    Die Reinigung ist ein kritischer Schritt im Herstellungsprozess von Wafern, bei dem es darum geht, chemische oder durch Partikel verursachte Verunreinigungen zu entfernen, ohne die Wafer-Oberfläche oder das Substrat zu verändern oder zu beschädigen. Die Messgeräte von Anton Paar helfen Ihnen, Folgendes unter Kontrolle zu halten:

    Schwefelsäure-Konzentration

    Einer der wichtigsten Parameter ist die Konzentration der Schwefelsäure, die Sie mit einem chemisch beständigen Dichte- und Schallgeschwindigkeitsmessgerät oder einem Prozesssensor messen können. Genaue Kenntnisse der Schwefelsäure-Konzentration ermöglichen einen gleichmäßigen Reinigungsprozess.

    Reinheit von ultrareinem Wasser

    Korrekt funktionierende Membranen sind eine Voraussetzung, um ultrareines Wasser für den Reinigungsprozess einsetzen zu können. Die Verwendung eines Zetapotenzial-Messgerätes zur Bestimmung des Zetapotenzials der Membran-Wasser-Grenzfläche ermöglicht ein klares Verständnis des Membranverhaltens. Unerwartete Membranverschmutzung kann dadurch verhindert werden, und Sie können eingreifen, bevor es zu einer Beeinträchtigung der Wasserreinheit kommt.

    Um den Reinigungsprozess zu beschleunigen und zu verbessern, können Sie die Reinheit des Reinigungsmittels mit einem Refraktometer prüfen, damit eine ordnungsgemäße Reinigung ohne Rückstände auf der Oberfläche sichergestellt werden kann.

    Wafer-Gleichförmigkeit nach dem CMP-Prozess

    Um die Gleichförmigkeit der Wafer nach dem CMP-Prozess (chemisch-mechanisches Polieren) zu gewährleisten, verwenden Sie ein Rasterkraftmikroskop zur Bestimmung der effektiven Feldhöhe (EFH). AFM ist eine zerstörungsfreie Methode zur Wafer-Oberflächeninspektion, die sehr kleine Merkmale mit höchster Genauigkeit misst.

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    Planarisierung

    Um Sie bei der Planarisierung zu unterstützen, bietet Anton Paar zwei Geräte zur Reduzierung der Kontamination in diesen Prozessschritten an: eines für Feststoffe, eines für Partikel. Die Bewertung von Polierpads und Slurry-Partikeln durch die Bestimmung des Zetapotenzials gibt Ihnen das nötige Wissen, um zu entscheiden, wann Sie Pads auf der Grundlage ihrer Leistung ersetzen müssen. Zetapotenzial-Messungen an Wafer-Oberflächen und Slurry-Partikeln, die im CMP-Prozess verwendet werden, machen Sie auf die Möglichkeit für Partikeladhäsion aufgrund elektrostatischer Wechselwirkungen aufmerksam. Mit diesem Wissen können Sie solche Adhäsionen verhindern.

    Die offene und geschlossene Porosität von Pads wird schnell durch Gaspyknometrie quantifiziert. Dies ermöglicht den Herstellern, die Qualität zu überwachen und den Anwendern bei der Auswahl des optimalen Pads für ihren Prozess und des jeweils verwendeten Slurrys zu helfen.

    Die kontinuierliche Inline-Überwachung der Slurry-Eigenschaften in CMP während der Planarisierung liefert Echtzeitdaten, mit denen Sie den Zustand des Slurrys kontrollieren und Änderungen der Schleifkonzentration erkennen können. Eine stabile Slurry-Dichte innerhalb der Spezifikationsgrenzen garantiert die Herstellung einer hochwertigen Wafer-Oberfläche.

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    Prüfung, Montage und Verpackung

    Die richtige Verpackung ist entscheidend, um die wertvollen Wafer vor Beschädigung zu schützen. Deshalb gilt es sicherzustellen, dass die verwendeten Materialien (Bondpads, Verbindungen und Ball Grid Arrays) die richtigen mechanischen Eigenschaften aufweisen. Hierzu können Sie Messungen an vordefinierten Punkten auf dem Mikrochip durchführen, um die Härte und den Elastizitätsmodul mit einem Nano- und/oder Ultra-Nano-Härtetester zu bestimmen.

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    Weitere verwandte Anwendungen

    Durch Messen der Partikelgrößenverteilung des kristallinen Siliziums sowie durch Überwachen der Menge an feinen und kohäsiven Partikeln (<10 µm) wird der endgültige Reinheitsgrad sichergestellt, der durch bewährte Verfahren einschließlich Mahlen (Größenreduzierung) und chemische Behandlungsschritte erreicht wird.

    Die Bestimmung anorganischer Verunreinigungen ist wichtig, um die Qualität der Grundmaterialien und die richtige Funktionalität der Endprodukte sicherzustellen. Mit der mikrowellenunterstützten Probenvorbereitung von Anton Paar können Sie sich auf zuverlässige Aufschlussergebnisse für jeden Probentyp verlassen.

    Die Oberflächencharakterisierung ist auch eine wichtige Aufgabe für Produkte, die mit der Wafer-Fertigung zusammenhängen, wie z. B. Displays und Optoelektronik. Bei der Herstellung von Displays können Sie die Adhäsion mit einem Mikro- oder Nano-Rritzprüfer messen und die mechanischen Eigenschaften mit einem Nano-Härtetester oder einer Kombination beider Methoden bewerten. Die Ergebnisse geben Ihnen Auskunft und volle Kontrolle über die Schichtqualität. Die Arrays und die Form der Mikrolinsen lassen sich am besten mit dem Rasterkraftmikroskop von Anton Paar vermessen, da dieses sowohl die seitlichen Abmessungen als auch die Höhe der einzelnen Mikrolinsen anzeigt.

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  • Finden Sie Ihre ideale Lösung

    LösungIhre VorteileMessgerät
    Dünnfilme
    Sie möchten die Qualität von Dünnfilmbeschichtungen überwachen.Führen Sie eine Oberflächenladungsanalyse (Zetapotenzial-Messung) an der äußersten Oberflächenschicht durch. Verwenden Sie GISAXS, um Strukturen auf oder unter Ihrer Oberfläche zu charakterisieren.Informationen zur Oberflächenchemie, die die gewünschte Zusammensetzung der äußersten Dünnfilmschicht bestätigen; Informationen zur Beschichtungsqualität und Nanostrukturverteilung Ihres Dünnfilms 
    Sie benötigen eine präzise und zeiteffiziente Rauheitskontrolle während der Metallisierung, um die Qualität der nachfolgenden Bearbeitungsschritte sicherzustellen.Messen Sie die Oberflächenrauheit über einen großen dynamischen Bereich mit Rasterkraftmikroskopie (AFM) und erhalten Sie quantitative Ergebnisse in Kombination mit dreidimensionalen Informationen.Reproduzierbare Adhäsion von abgelagerten Materialien, reproduzierbare Schnittstellen im Transistor-Gate-Stack, Qualitätskontrolle von elektrischen Kontakten (wie Source-, Drain- und Gate-Kontakte) sowie von Wafer-Rückseiten für die Leistungselektronik (wie IGBTs) 
    Als Entwickler und Hersteller von integrierten Schaltkreisen (ICs) wollen Sie sicherstellen, dass die bei der IC-Produktion verwendeten Materialien und Schichten die richtigen mechanischen Eigenschaften aufweisen.Charakterisieren Sie die Härte und das Elastizitätsmodul sowie die Adhäsion von dünnen Schichten auf Wafern mit mechanischer Oberflächencharakterisierung (unter Verwendung von Nanoritztests und Niedriglast-Härtetests).Volle Kontrolle über die abgelagerten Funktionsschichten während der Entwicklung von integrierten Schaltungen 
    Sie müssen die Qualität des Metallisierungsprozesses kontrollieren, da eine Änderung der Parameter Auswirkungen auf die Partikelgrößenverteilung hat.Bestimmen Sie Partikelgröße und -verteilung mit Rasterkraftmikroskopie.Dabei ist sicherzustellen, dass eine Änderung der Prozessparameter keine Probleme beim Bonding verursacht. 
    Fotolithografie
    Sie wollen eine Kontamination der Fotomasken vermeiden, die die Qualität integrierter Schaltkreise beeinträchtigt.Ermitteln Sie die Korrelation zwischen verschiedenen Reinigungsmitteln und der Fotomaske durch Bestimmung des Zetapotenzials (Oberflächenladungsanalyse).Optimierung von Reinigungsverfahren für Fotomasken 
    Eine hochpräzise Defektanalyse ist für die Qualitätskontrolle Ihrer Fotomasken unerlässlich, da jeder Defekt auf das Probenmuster übertragen wird.Bestimmen Sie für die Defektanalyse das anfängliche Defektvolumen mit Rasterkraftmikroskopie, um Defekte aufzudecken.Optische Proximity-Korrektur (frei von Proximity-Effekten) zur Kontrolle des Reparaturfortschritts mit einer präzisen, lokalisierten Messung.  
    Ätzen
    Sie möchten die Konzentration der Flusssäure bestimmen, um eine konsistente Ätzleistung zu erhalten. Führen Sie zur Bestimmung der Flusssäurekonzentration eine Konzentrationsmessung mit einem chemisch beständigen Biegeschwinger-Dichtemessgerät aus Hastelloy durch. Reproduzierbare Ätzprozesse durch schnelle Vorab-Überprüfung der Säurekonzentration 
    Sie möchten Defekte, die nach dem Trockenätzen auftreten, charakterisieren und erkennen, ob es sich um ein Partikel oder eine Vertiefung handelt, um daraus Gegenmaßnahmen für den Prozessschritt zu definieren.Führen Sie eine Rasterkraftmikroskopie-Studie zur präzisen Analyse von Größe, Form und 3-D-Topografie der Defekte durch.Definition korrekter Prozessparameter durch die reproduzierbare, quantitative und schnelle Defektanalyse  
    Sie möchten die Spacer-Maße mehrmals überprüfen und die Auswirkungen des Ätzens bewerten, da die Abmessungen in direktem Zusammenhang mit der elektrischen Leistung des Endtransistors stehen. Charakterisieren Sie die Seitenwanddicke und das Seitenwandprofil in allen Schritten der Gate-Verarbeitung mit Rasterkraftmikroskopie. Vollständige Kontrolle der Gate-Verarbeitung durch mehrmaliges Messen desselben Gates (das Wiederauffinden der exakt gleichen Position ist nur mit einem AFM möglich). 
    Sie sind auf der Suche nach einer schnellen Technik zur Analyse der kritischen Dimension (CD), der Rauheit der Linienbreite und der Rauheit der Linienkanten nach den Prozessschritten Lithografie und Ätzen. Durch Rasterkraftmikroskopie erhalten Sie vertikale Linien-/Grabenprofilinformationen in Nanometer-Auflösung und überlegener Genauigkeit. Die AFM-Serie von Tosca ist für schnelle AFM-Messungen konzipiert, liefert schnell Ergebnisse und garantiert höchste Qualität der nachfolgenden Prozessschritte. 
    Sie möchten die Rippendimensionen des Entstehungsprozesses für den Fin-Feldeffekttransistor (FinFET) kontrollieren, was für die Produktleistung entscheidend ist.Analysieren Sie die FinFET-Struktur mit hochpräziser Rasterkraftmikroskopie, da Änderungen der Rippendimensionen aus Abweichungen der Linienhöhe, der Linienbreite und des Linienprofils resultieren.Volle Kontrolle der FinFET-Abmessungen mit präzisen AFM-Messungen im Sub-nm-Bereich 
    Reinigung
    Sie möchten die Konzentration von Schwefelsäure schnell bestimmen, etwa zehnmal schneller als mit der herkömmlichen Titrationsmethode.Dichte und Schallgeschwindigkeit mit einem Gerät messen (Konzentrationsmessung). Aufgrund der nichtlinearen Konzentrationskurve von Schwefelsäure sind beide Technologien erforderlich. Hohe Wiederholbarkeit und Reproduzierbarkeit des Reinigungsprozesses 
    Sie möchten eine leistungsstarke Prozesskonzentrationsmessung von Schwefelsäure.Führen Sie überall dort eine Konzentrationsmessung durch, wo eine H2SO4-Bestimmung erforderlich ist, und decken Sie den gesamten Konzentrationsbereich von H2SO4 ab (0 bis 100 %).Kontinuierliche Qualitätsüberwachung Ihres Reinigungsprozesses 
    Sie möchten eine ordnungsgemäße Reinigung ohne Rückstände auf der Oberfläche sicherstellen.Führen Sie eine Reinheitsmessung des Reinigungsmittels (z. B. Reinstwasser) mit einem hochpräzisen Refraktometer durch.Beschleunigung und Verbesserung des Reinigungsprozesses, um Zeit und Aufwand zu sparen 
    Sie möchten die Membranqualität sicherstellen, um ultrareines Wasser für Halbleiterprozesse zu erhalten.Bestimmen Sie das Zetapotenzial der Membran (Oberflächenladungsanalyse), um die Membranqualität zu überwachen und unerwarteter Membranverschmutzung und einer Verschlechterung der Wasserreinheit vorzubeugen.Zuverlässige Wasserreinheit für die Herstellung von Halbleiterelementen 
    Sie möchten die Gleichförmigkeit der Wafer nach CMP (chemisch-mechanisches Polieren) gewährleisten, wofür Sie die effektive Feldhöhe (EFH) kennen müssen, die die Schwellenwerteigenschaften von Transistoren beeinflusst.Überwachen Sie die EFH-Spezifikation mit Rasterkraftmikroskopie, da hohe Schwankungen zu Ausfällen führen können.Überlegene Genauigkeit der EFH-Steuerung mit schneller und zerstörungsfreier Methode zur Messung derart kleiner Merkmale 
    Sie möchten sicherstellen, dass Ihr CMP-Slurry beim Polieren konsistente Ergebnisse liefert.Messen Sie die Viskosität Ihres CMP-Slurrys, um Informationen über das Fließverhalten und die Leistung während des CMP-Prozesses zu erhalten. Sicherstellung einer reproduzierbaren Polierleistung und damit gleichbleibende Wafer-Qualität. 
    Planarisierung
    Sie wollen eine Kontamination unterschiedlich beschichteter Siliziumwafer durch Komponenten des Slurrys während des CMP-Prozesses vermeiden.Bestimmen Sie das Zetapotenzial von Wafer-Oberflächen und Slurry-Partikeln mit der Oberflächenladungsanalyse, um die Prozessbedingungen zu optimieren und Partikeladhäsion durch elektrostatische Wechselwirkungen zu vermeiden.Verringerte Zykluszeiten bei der Reinigung nach dem CMP-Prozess, wodurch der Durchsatz erhöht wird. 
    Ihnen ist wichtig, Kreuzkontaminationen in CMP-Prozessen durch Polierpads zu vermeiden.Charakterisieren Sie Polierpads und Slurry-Partikel mit einer Oberflächenladungsanalyse zur Vorhersage der elektrostatischen Anziehung.Verringerung der Austauschhäufigkeit von Polierpads spart Zeit und Geld 
    Sie möchten die richtige Partikelgrößenverteilung in Ihrem Slurry gewährleisten.Charakterisieren Sie die Partikelgröße des Slurrys mit einer Partikelgrößenanalyse.Verbesserung der Polierleistung zur Reduzierung von Schäden an der Wafer-Oberfläche 
    Sie müssen eine gleichmäßige Mikrostruktur von Charge zu Charge sicherstellen.Bestimmen Sie die offene und geschlossene Porosität mit Messungen der Feststoffdichte mittels Gaspyknometrie.Gesicherte Pad-Auswahl und Kontinuität der Prozessparameter 
    Sie möchten Ihre Slurry-Eigenschaften im CMP-Prozess inline überwachen.Führen Sie die Slurry-Dichtemessung mit einem Prozessdichtesensor durch.Die Inline-Überwachung liefert Echtzeitdaten, um den Zustand des Slurrys anzuzeigen und Änderungen der Schleifkonzentration zu erkennen. 
    Test, Montage und Verpackung
    Als Halbleiter-Packaging-Dienstleister müssen Sie sicherstellen, dass der Verpackungsprozess korrekt durchgeführt wird und die verwendeten Materialien (Bondpads, Anschlüsse, Ball Grid Arrays usw.) die richtigen mechanischen Eigenschaften aufweisen.Führen Sie lokale Messungen mit einem Nanohärtetester durch, um die Härte und das Elastizitätsmodul zu bestimmen (mechanische Oberflächencharakterisierung).Verifizierung des IC-Verpackungsprozesses, um die höchste Qualität des Verpackungsmaterials sicherzustellen  
    Weitere verwandte Anwendungen: Reine Rohstoffe
    Sie benötigen hochreines Silizium als Rohstoff für Ihre Halbleiterproduktion.Führen Sie eine Partikelgrößen- und Verteilungsanalyse durch, um das Vorhandensein feiner und großer Verunreinigungen zu überprüfen.Eine qualitativ hochwertige Rohstoffqualität ist gewährleistet. 
    Weitere verwandte Anwendungen: Probenvorbereitung für Elementanalyse
    Sie müssen die Elementzusammensetzung Ihres Grundmaterials und Ihrer Endprodukte bestimmen, um die Produktqualität und die richtige Funktionalität sicherzustellen.Der mikrowellenunterstützte Aufschluss gewährleistet eine vollständige Vorbereitung Ihrer Proben für genaue Messungen.Schnelle und reproduzierbare Probenvorbereitung für die anschließende Elementaranalyse 
    Weitere verwandte Anwendungen: Displays
    Als Display-Hersteller wollen Sie über die mechanischen Eigenschaften und die Adhäsion der Display-Schichten Bescheid wissen, um eine vorzeitige Delamination oder Alterung zu vermeiden und zudem die Qualität der Schichten zu überwachen.Für diese mechanische Oberflächencharakterisierung messen Sie die Adhäsion (mit Mikro- oder Nano-Ritzprüfern) und die mechanischen Eigenschaften der Schichten (mit einem Nanohärtetester).Volle Kontrolle über die Schichtqualität bei der Display-Herstellung 
    Weitere verwandte Anwendungen: Optoelektronik
    Sie möchten die Qualität der Anordnung und der Form von Mikrolinsen kontrollieren. Dieses Wissen ist entscheidend für die Verbesserung von deren Qualität und Ertrag.Mit der Rasterkraftmikroskopie wird jede einzelne Mikrolinse vermessen, um sowohl laterale Abmessungen als auch die Höhe zu erhalten.Präzise Topografiemessungen über mehrere Mikrolinsen 

    Ihre spezifische Fragestellung ist nicht angeführt? Anton Paar bietet Ihnen noch mehr Lösungen. Kontaktieren Sie uns für nähere Informationen. 

  • Automatisierung in Ihrem Qualitätskontrolllabor

    Anton Paar bietet auch vollständig maßgeschneiderte Automatisierungslösungen, um Ihre individuellen Anforderungen zu erfüllen.

    Modularer Probenprozessor

    Ein maßgeschneiderter modularer Probenprozessor kann auf Ihren Labor-Workflow zugeschnitten werden, z. B. für die Messung von Säuren und Basen. Das System automatisiert Ihre Probenidentifizierung, das Verschließen der Probengefäße, das Entnehmen von Teilproben und das Mischen.

    Hochdurchsatz-Plattform HTX

    HTX von Anton Paar ist die führende Plattform für die Implementierung von Probenvorbereitung und Analytik in eine maßgeschneiderte automatisierte Lösung. Neben den eigenen Geräten von Anton Paar können auch Geräte von Drittanbietern eingesetzt werden.

    Vorteile:

    • Analysieren Sie eine Vielzahl von Proben und bereiten Sie sie schnellstmöglich für die nachgelagerte Analytik vor
    • Schützen Sie Ihr Team beim Umgang mit gefährlichen Substanzen
    • Vermeiden Sie menschliche Fehler
    • Betreiben Sie Ihr System rund um die Uhr
    • Nutzen Sie die bidirektionale Kommunikation mit Ihrem LIMS, was maximale Flexibilität in Bezug auf verschiedene Arbeitsabläufe bei der Probenvorbereitung garantiert 
  • 3-Jahres-Garantie

    • Alle Anton Paar Geräte*, die nach dem 1. Jänner 2020 erworben werden, erhalten drei Jahre Garantie.
    • Für Kunden entstehen keine unvorhersehbaren Kosten. Sie können sich stets auf Ihr Gerät verlassen.
    • Ergänzend zur Garantie ist ein breites Portfolio an Zusatzleistungen und Wartungsoptionen erhältlich.

    * Technologiebedingt sind Wartungsarbeiten gemäß Wartungsplan für manche Geräte erforderlich. Die Einhaltung des Wartungsplans ist Voraussetzung für drei Jahre Garantie.

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