粒子径・ゼータ電位入門セミナー第9回ウェハ表面とCMPスラリーのゼータ電位測定の評価事例

第9回、応用編５は”ウェハ表面とCMPスラリーのゼータ電位測定の評価事例”についてご紹介いたします。

私たちが普段使用している、スマートフォン、コンピュータは非常に多くの工程を経て私たちが使う事が出来ます。

その要となる、シリコンウェハが今回のテーマとなります。

例えば、エッチング工程の定量・定性化や評価の難しいSAM（単分子膜）の評価事例

更には、おなじみの電気泳動光散乱法（ELS）と平板のゼータ電位測定に最も適した流動電位法との複合評価事例として

CMPスラリーとウェハ表面の相互作用などをご紹介いたします。

2020年11月04日 10:00 – 11:00 (JST UTC+09:00)

中野祐樹 (语言: 日本語)

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