引言 半导体行业中使用的工艺化学品通常会充满诸如 NH 3 , H 2 S 或 NO x 之类的溶解气体,在释放到市政废水系统 之前必须进行处理。
对于氨水(NH3),废水排放标准必须低于一定限值。 InGaN 芯片的 EPI 工艺在很大程度上污染了氨水。
为了避免罚款,必须从废水中去除溶解的氨。由于 NH 3的高溶解度,因此不能像 CO 2或 O 2那样使用吹扫气 -真空组合进行去除。现代水处理采用“膜接触”技术。
去除 NH 3的膜接触技术通过添加硫酸(H2SO4) 起作用。H2SO4立即与废水中的氨反应生成硫酸铵 (NH4)2SO4。 氨与硫酸化学反应生成硫酸铵的方程式:
2NH3 + H2SO4 →(NH4)2SO4
NH 3可以高效地从废水中去除,而添加化学药品不会 额外污染废水。
如需接收文档请在下方输入电子邮箱地址。
错误
Login temporarily locked
您可以在这里查看所有已用的 cookie 及其详细信息,并决定接受哪些 cookie 类型。
在得知 Cookie 横幅和隐私政策中的数据存在潜在风险(包括传输至美国和美国监管机构可能会访问)后,我仍接受美国供应商提供的Cookie。
显示 cookie 信息 隐藏 cookie 信息