MCR 的配件：
Rheo-SANS/SAXS

結構分析與流變光學的配件
小角度散射可用於奈米結構分析
溫度範圍從 -50 °C 至 +300 °C

Rheo-SANS/SAXS

主要功能
適用的儀器
相似產品

瞭解複雜流體在流動下的行為需要瞭解微觀結構級別的結構變化。安東帕提供一套專業測量組態，將知名的 MCR 流變儀技術與小角度 X 射線散射 (SAXS) 及小角中子散射 (SANS) 儀器相結合，可於 X 射線或中子光束線上整合使用。藉助 Rheo-SANS/SAXS 配件，所有流變測試類型都可以同時進行實時小角度散射。它由不透射線的對流溫度裝置和專用的測量系統組成，可測量從液體到粉體甚至薄膜的各種樣品。

主要功能

SAXS 和 SANS 測量與所有流變測試類型

Rheo SANS/SAXS 配件將功能齊全的 MCR 流變儀與 SAXS 和 SANS 結合使用，可在 -50 °C 至 +300 °C 的溫度範圍內進行測量。您可以同時進行實時小角度散射並執行所有流變測試類型。相對於剪切流的各種光束位置提供在不同平面上的散射資訊。可用的測量幾何形狀包括不同材料製成的同心圓柱體（最大的杯直徑為 50 mm）和平行板（直徑最大為 50 mm）系統以及 DMA 和擴展夾具 (SRF、SCF、UXF、SER)。

SAXS 符合流變學原理，可進行剪切誘導的奈米結構分析

小角度 X-Ray 散射 (SAXS) 和廣角 X-Ray 散射 (WAXS) 是對材料（例如：生物材料、膠體、懸浮液、奈米晶聚合物）的密度差異進行奈米級特性分析的有效技術。它們可提供關於高分子尺寸與形狀、部分有序材料中之距離、孔隙大小等方面的見解。當與流變學結合時，小角度 X-Ray 散射 (SAXS) 可用於研究由剪切誘發之奈米結構變化——範圍涵蓋由流動或溫度誘發之結晶化，直到剪切帶現象。所有受照射部件預設皆由聚碳酸酯製成。其他材質（例如：聚醯亞胺）可視需要提供。部件可在一分鐘內完成更換。

SANS 和 GISANS︰奈米級特性分析

小角度中子散射 (SANS) 為一項強而有力之技術，可用於對各類材料進行奈米級特性分析。中子會被原子核或未成對電子之磁矩散射，這與 X 射線主要與電子雲作用的機制不同。由於中子電中性（不帶電荷），中子能深度穿透並探測材料之本體。可提供 Rheo-SANS 與介電譜分析之結合應用，亦有用於掠入射小角中子散射（GISANS）或中子反射率測量之特殊裝置，以有利於進行薄膜分析。預設情況下，受照射部件由鈦材製成。其他材料（例如：石英玻璃）可視需要提供。部件可在一分鐘內完成更換。

針對複雜應用的獨特測量技術

安東帕所推出的獨特 Rheo-SANS/SAXS 裝置被廣泛應用於世界各地那些設有特殊 X 射線（同步輻射）或中子（反應堆或散裂源）光源的研究設施內。對於特殊的安裝條件（如光束線中的空間有限），可提供特殊的流變儀類型。可根據要求實施並適應您特定需求的單獨測量設置。典型應用包括對聚合物溶液、聚合物熔體與薄膜、生物科學材料、膠體中的奈米級結構、剪切帶、高分子之形狀與尺寸、部分有序材料、生理條件下之蛋白質，以及反應動力學進行特性分析。