Elément de chauffage pour goniomètres quatre circuits :
DHS 1100
DHS 1100 est un dispositif de chauffage amélioré par rapport au DHS 900 Domed Hot Stage bien établi. Il dispose d'une plage de température accrue de 25 à 1100 °C. DHS 1100 est petit et léger et peut être monté sur presque tous les goniomètres quatre circuits et de nombreux niveaux XYZ. Sous le dôme en graphite innovant, des échantillons peuvent être mesurés dans le vide, l'air ou dans différents gaz. DHS 1100 est un excellente porte-échantillons pour des études à température élevée in-situ des transformations de phase, de la texture et des contraintes internes dans les matériaux cristallins.
Caractéristiques principales
Fenêtre à rayons X unique
- Dôme en graphite hautement transparent aux rayons X
- Zone pour échantillons avec une étanchéité du vide meilleure que 1x10-2 mbar pour l'étude d'échantillons sensibles à l'oxygène
- Aucun élément de l'instrument au-dessus de l'échantillon ne bloque le faisceau des rayons X
Chauffage excellent avec peu d'effets secondaires
- Chauffage des échantillons rapide et stable jusqu'à 1100 °C
- Excellente homogénéité de température dans toute la plaque chauffante
- Mesure précise de la température de l'échantillon
- Inclinaison minimale de l'échantillon et expansion du support d'échantillon
- Plaque chauffante en céramique chimiquement résistante
Compact et mobile
- Poids très bas - moins de 500 g
- Diamètre ext. seulement 130 mm
- Système de refroidissement à l'air sophistiqué
- Deux tuyaux d'alimentation très flexibles uniquement, garantissant une mobilité exceptionnelle sur le goniomètre
- S'adapte à la plupart des berceaux eulériens et à de nombreux niveaux XYZ
Spécifications
| Température de service | 25 °C à 1100 °C |
|---|---|
| Mesure de la température | Thermocouple Pt-10% Rh-Pt |
| Atmosphères | Vide (10 -1 mbar), air, gaz inerte, azote |
| Pression de service max. | 0,3 bar max. au dessus de la pression atmosphérique |
| Angle de diffusion possible | 0 à 166° 2Θ 0 à 85° Psi 0 à 360° Phi |
| Matériau du support d'échantillons | Nitrure d'aluminium |
| Diamètre des échantillons | 25 mm max. |
| Matériau du dôme | Graphite |
| Transmission (rayons incidents et diffractés) | CuKα : 65% |
| Géométrie de mesure | Réflexion |
Service certifié Anton Paar
- Plus de 350 experts techniques certifiés par les fabricants dans le monde
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- 3 ans de garantie
Documents
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DHS 1100 Brochures
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Temperature-Dependent Strain-stress Characterization in GaN (Gallium Nitride) Thin Films Rapports d'application
Consommables
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